SJ 50033.13-1994 半导体分立器件.3DK210型功率开关晶体管详细规范
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日期: |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,SJ 50033/13- 94,3DK210型功率开关晶体管详细规范,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DK21OA-I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。毎种器件均按,GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级),1.2 外形尺寸,外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-O1C或B2-O1D型及如下规,定(见图1);,图,1.3 最大额定值,中华人民共和国电子工业部1994ー。% 30发布1994-12-01 实施,ww. bzfxw. com下载,SJ 50033/13-94,型 等,ふ「,Tq =25C,(W),匕:HO,(V),%EO,(V),V EBp,(V),几,(A),h,(A).,7;,(C),T*,(O,3DK2I0A 50 30,3DK210B 80 50,3DK210C 110 80,3DK210D 150 no,3DK210E 300 200 15。6 20 7.0 175 -55-175,3DK210F 250 200,3DK21OG 350 250,3DK210H 450 300,3DK210I 500 450,注:1) Tc >25匕,按2000mW/C的速率线性地降额.,1-4主要电特性(Ta=25C),注,1) ん陪〈40各档,其误差不超过土20%;ん阳>4。各档,其误差不超过±1。%,\极限值,厶力A Cob RthG . じ),\,ヅ丒=5. ov,Ic =1QA,Ic = 10A,ZB = 1. QA,(V),Ic = 10A,I胤=L 0A,レ=—LOA,(伸),Vce =10V,Zc — 2. 0A,f=3.0MHz,(MHz),=10V,4=0,f=0jMHz,(pF),Vce =25V,Zc =4.0A,(C/W),型号、max max min max max,3DK210A.I 红15.25,橙25.40,黄40.55,绿 55-80,蓝 8gl2c,1.0 L5 IN 2.5 0.6 8 1100 0.5,2引用文件,GB 4587双极型晶体管测试方法,GB 758I半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 半导体分立器件总规范,GJB 128半导体分立器件试騒方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的段计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.21 引出线材料和涂层,-2 -,SJ 50033/13-94,引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡层或馍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同,或订货单中应予规定,3- 3标忐,器件的标志应按GJB 33的规罡,4质量保证规定,¢1抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表!的规定进行,超,过本规范表!规定极限值的器件应予剔除.,筛 选,(见GJB33的表2),测 试,GT和GCT级,7、中间电参数测试『匚除1和ん阻,8、功率老化见 4.3. 1,9、最后侧试按本规范表1的A2分组,Me时,《初始值的100%或30印A,取较大者.,凶阻《初始值的士20%,4.3.I 功率老化条件,功率老化条件如下:,^=162.5 + 12. 5*C,V ce — 25 V,Pm >15OW,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行“,4-4 2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定,4 5.1脉冲测试,脉冲测试应投GJB 128的3. 3. 2 J的规定.,4-5-2热阻,—3 —,下载,sj 50033/13-94,热阻测试应按GB 4587的2.10和下列规定,a.加功率时的ん=4. QAキ,b. VCe —25V),c.基准温度测试点应为管壳;,d.基准点温度范围为25C4TcW75C,实际温度应记录,e.安装应带散热装置;,f-尺皿…)的最大极限值应为0, 5,C/WS,4.5.3 C组寿命试验,C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行,4.5.4 恒定加速度,恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行,表1 A组检验,检験或试験,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件min max,A1分組GJB 128 5,外观及机械检验2071,A 2分组5,集电极ー发射极本规范发射极一基极开路,击穿电压附录A 7c 大 5mA,3DK210A 30 — V .,3DK21OB 50 — V,3DK210C 80 — V,3DK210D no — W,3DK21OE 150 — V,3DK210F 200 — V,3DK21OG 250 ,一V,3DK お 0H 300 — V,3DK210I,匕丒EBO,1 350 — V,发射极一基极2.9.2.2 集电极一基极开路. 6 — V,击穿电压ム=5mA,集电极一基极2.1 发射极-?基横开路; IcBDl — 0. 6 mA,截止电流レCB =ドじめ-,集电极一发射极2,1.4 发射极一基极开路; 『CE<) — 2.0 mA,截……
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